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单线态裂变加持硅电池设计模拟:IBC架构效率可超33%,产业化路径明晰

新南威尔士大学等机构研究者在arXiv发表硅电池单线态裂变耦合模拟研究:背接触(IBC)电池因前表面不受遮挡最具效率提升潜力,与单线态裂变材料结合效率可超33%;但性能对前表面钝化质量高度敏感,可控表面掺杂与固定界面电荷可缓解复合损失。研究为2025年首个SF增强硅电池演示后的产业化设计提供路线图。

B910化工 9月11日 12:54 58