半导体器件

中国科学技术大学研究团队提出基于单离子传输机制的新型存储器方案，利用单层六方氮化硼中的单原子空位缺陷实现电阻开关。实验制备的单离子存储器件实现20皮秒的超快开关速度和310阿焦耳每比特的超低能耗，有望…