德国美因茨大学锰基分子材料突破自旋电子学温度极限

德国约翰冈斯古滥贝格大学美因茨分校Heinze团队在Nature Chemistry发表锰基分子材料研究，将自旋电子学存储器件的工作温度提升至约141K(-132°C)，超越此前所有铁基材料的130K纪录。该材料利用N-杂环卡宾配体稳定锰的低自旋态，为分子级数据存储器件实用化迈出关键一步。